关断时间为什么取10到90
① 微波开关的工作原理以及技术指标
微波自动开关是根据微波的多普勒效应来进行控制的，它能够监测物体移动，并把移动转换为电信号从而控制灯泡的亮灭或电器的启闭。
工作原理如下：
天线 、T1、C5等组成微波振荡电路，由天线向空间辐射，在其周围产生一个半径约10m的微波场如有人或物体在微波场内移动，将引起微波的频移，在电路中体现为天线端电压的变化，C4将这一变化耦合到运放AD进行放大，运放AD的输出经C2在R6上形成电压，该电压的高低与物体的距离和移动的速度有关通常在0-3V之间；运放 AA 接成比较器，参考电压在12V时为0.4V，当R6上的电压高于0.4V时，AA输出高电平经过比较器AC比较输出低电平，D4导通、C3瞬间充电使比较器AB 6脚电压低于5脚，比较器输出高电平，如果此后微波场内不再有物体移动，C3上的电压经R9缓慢放电形成延时，当6脚电位高于5脚延时结束，AB输出低电平等待下次触发。T2、R15、C6的加入可以在电路延时结束后的一段时间内（约5秒）使AC 9脚保持低电平，从而使电路可靠反转关断。如果用做照明控制可与“电路A”组合，“电路A”将市电转为6V的直流电源供探头使用，双向可控硅做为开关元件控制灯泡的亮灭，达到人到灯亮，人离灯灭的节能效果。如果将微波探头与“电路B”组合就构成简单的微波防盗报警器，只要有人在监测范围内移动将触发报警，高响度喇叭发出强力警报，吓跑歹徒。
微波射频之开关参数说明：
PIN二极管开关
微波开关利用PIN管在直流正、反偏压下呈现近似导通和关断的阻抗特性，实现了控制微波信号通道转换的作用。
PIN二级管的直流伏安特性和PN结二极管是一样的，但是在微波频段却有本质的区别。由于PIN二级管I层的总电荷主要由偏置电流产生，而不是由微波电流瞬时值产生的，所以其对微波信号只呈现一个线形电阻。此阻值由直流偏置决定，正偏时阻值小，接近于短路，反偏时阻值大，接近于断路。因此PIN二极管对于微波信号不产生非线形整流作用，这是和一般二极管的本质区别，所以适合用于微波控制器件。
主要参数说明
插入损耗和隔离度
PIN管实际存在一定数值的电抗和损耗电阻，因此开关在导通时衰减不为零，成为正向插入损耗，开关在断开时其衰减也非无穷大，成为隔离度。二者时衡量开关的主要指标，一般希望插入损耗小，而隔离度大。
开关时间
由于电荷的存储效应，PIN管从截止转变为导通状态，以及从导通状态转变为截止状态都需要一个过程，这个过程所需要的时间成为开关时间。
“开通延时”为控制脉冲90％到受控微波脉冲包络10％所需的时间；
“开关开通时间”为受控微波脉冲包络从10％到90％所需要的时间，也成为“上升沿”；
“关断延时”为控制脉冲10％到受控微波脉冲包络90%所需要的时间；
“开关关断时间”为受控微波脉冲包络从90％到10％所需要的时间，也成为“下降沿”。
一般“开通延时”和“关断延时”取决于驱动器电路，而“上升沿”和“下降沿”取决于PIN管和偏置电路的选择。
承受功率
在给定的工作条件下，微波开关所能承受的最大输入功率。与PIN管功率容量、电路类型（串联或者并联）、工作状态（CW和脉冲）给散热条件有关。一般损坏机理有两种：电压击穿,常见于脉冲功率；热烧毁，常见于CW。
电压驻波系数
电压驻波系数仅仅反映端口输入输出匹配情况。端口电压驻波系数最小，开关的损耗不一定最小；但是差损最小的开关其电压驻波系数肯定小。
谐波
PIN二极管具有非线性，因此会产生谐波，当应用于较宽的场合时，谐波可能落入带内而无法滤除，所以要给予重视。
结构说明
反射与吸收式开关：
反射式开关是通过PIN二极管导通时把输入的微波信号反射回去而起到隔离作用的，因此在“开”状态下驻波关系较好，而在“关”状态下驻波很差；吸收式开关则采用了负载吸收PIN二极管导通时的反射信号，从而改善了端口驻波，因此其“开”与“断”状态下的驻波都比较好。通常，反射式开关的承受功率要比吸收式开关的大一些，但是价格相对要便宜一些。而吸收式开关可以降低在关断状态下对系统的级间牵引。
② 开关电源启动时间,保持时间,上长时间,下降时间,是哪个标准
开关电源启动时间是指电源开关合上，到输出电压达到90%的Uo为止那段时间；
保持时间是指电源开关关断，到输出电压下降到90%的Uo为止那段时间；
上升时间是指电源的输出电压从10%的Uo上升到90%的Uo为止那段时间；
下降时间是指电源的输出电压从90%的Uo下降到10%的Uo为止那段时间。
③ 什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间
绝缘栅双极型晶体管的开通时间：是指该晶体管的启动时间。
作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压。
绝缘栅双极型晶体管的关断时间：是指该晶体管的关闭时间。
MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。