關斷時間為什麼取10到90
① 微波開關的工作原理以及技術指標
微波自動開關是根據微波的多普勒效應來進行控制的，它能夠監測物體移動，並把移動轉換為電信號從而控制燈泡的亮滅或電器的啟閉。
工作原理如下：
天線 、T1、C5等組成微波振盪電路，由天線向空間輻射，在其周圍產生一個半徑約10m的微波場如有人或物體在微波場內移動，將引起微波的頻移，在電路中體現為天線端電壓的變化，C4將這一變化耦合到運放AD進行放大，運放AD的輸出經C2在R6上形成電壓，該電壓的高低與物體的距離和移動的速度有關通常在0-3V之間；運放 AA 接成比較器，參考電壓在12V時為0.4V，當R6上的電壓高於0.4V時，AA輸出高電平經過比較器AC比較輸出低電平，D4導通、C3瞬間充電使比較器AB 6腳電壓低於5腳，比較器輸出高電平，如果此後微波場內不再有物體移動，C3上的電壓經R9緩慢放電形成延時，當6腳電位高於5腳延時結束，AB輸出低電平等待下次觸發。T2、R15、C6的加入可以在電路延時結束後的一段時間內（約5秒）使AC 9腳保持低電平，從而使電路可靠反轉關斷。如果用做照明控制可與「電路A」組合，「電路A」將市電轉為6V的直流電源供探頭使用，雙向可控硅做為開關元件控制燈泡的亮滅，達到人到燈亮，人離燈滅的節能效果。如果將微波探頭與「電路B」組合就構成簡單的微波防盜報警器，只要有人在監測范圍內移動將觸發報警，高響度喇叭發出強力警報，嚇跑歹徒。
微波射頻之開關參數說明：
PIN二極體開關
微波開關利用PIN管在直流正、反偏壓下呈現近似導通和關斷的阻抗特性，實現了控制微波信號通道轉換的作用。
PIN二級管的直流伏安特性和PN結二極體是一樣的，但是在微波頻段卻有本質的區別。由於PIN二級管I層的總電荷主要由偏置電流產生，而不是由微波電流瞬時值產生的，所以其對微波信號只呈現一個線形電阻。此阻值由直流偏置決定，正偏時阻值小，接近於短路，反偏時阻值大，接近於斷路。因此PIN二極體對於微波信號不產生非線形整流作用，這是和一般二極體的本質區別，所以適合用於微波控制器件。
主要參數說明
插入損耗和隔離度
PIN管實際存在一定數值的電抗和損耗電阻，因此開關在導通時衰減不為零，成為正向插入損耗，開關在斷開時其衰減也非無窮大，成為隔離度。二者時衡量開關的主要指標，一般希望插入損耗小，而隔離度大。
開關時間
由於電荷的存儲效應，PIN管從截止轉變為導通狀態，以及從導通狀態轉變為截止狀態都需要一個過程，這個過程所需要的時間成為開關時間。
「開通延時」為控制脈沖90％到受控微波脈沖包絡10％所需的時間；
「開關開通時間」為受控微波脈沖包絡從10％到90％所需要的時間，也成為「上升沿」；
「關斷延時」為控制脈沖10％到受控微波脈沖包絡90%所需要的時間；
「開關關斷時間」為受控微波脈沖包絡從90％到10％所需要的時間，也成為「下降沿」。
一般「開通延時」和「關斷延時」取決於驅動器電路，而「上升沿」和「下降沿」取決於PIN管和偏置電路的選擇。
承受功率
在給定的工作條件下，微波開關所能承受的最大輸入功率。與PIN管功率容量、電路類型（串聯或者並聯）、工作狀態（CW和脈沖）給散熱條件有關。一般損壞機理有兩種：電壓擊穿,常見於脈沖功率；熱燒毀，常見於CW。
電壓駐波系數
電壓駐波系數僅僅反映埠輸入輸出匹配情況。埠電壓駐波系數最小，開關的損耗不一定最小；但是差損最小的開關其電壓駐波系數肯定小。
諧波
PIN二極體具有非線性，因此會產生諧波，當應用於較寬的場合時，諧波可能落入帶內而無法濾除，所以要給予重視。
結構說明
反射與吸收式開關：
反射式開關是通過PIN二極體導通時把輸入的微波信號反射回去而起到隔離作用的，因此在「開」狀態下駐波關系較好，而在「關」狀態下駐波很差；吸收式開關則採用了負載吸收PIN二極體導通時的反射信號，從而改善了埠駐波，因此其「開」與「斷」狀態下的駐波都比較好。通常，反射式開關的承受功率要比吸收式開關的大一些，但是價格相對要便宜一些。而吸收式開關可以降低在關斷狀態下對系統的級間牽引。
② 開關電源啟動時間,保持時間,上長時間,下降時間,是哪個標准
開關電源啟動時間是指電源開關合上，到輸出電壓達到90%的Uo為止那段時間；
保持時間是指電源開關關斷，到輸出電壓下降到90%的Uo為止那段時間；
上升時間是指電源的輸出電壓從10%的Uo上升到90%的Uo為止那段時間；
下降時間是指電源的輸出電壓從90%的Uo下降到10%的Uo為止那段時間。
③ 什麼是絕緣柵雙極型晶體管的開通時間與關斷時間
絕緣柵雙極型晶體管的開通時間：是指該晶體管的啟動時間。
作為開關使用時，為使通態壓降UcE低，通常選擇為氏E值為10一15v，此情況下通態壓降接近飽和值。UGE值影響短路破壞耐量(時間)，耐量值為微秒級，UG。值增加，短路破壞耐量(時間)減少。門極電阻R。的取值影響開關時間，RG值大，開關時間增加，單個脈沖的開關損耗增加。但RG值減小時，di/dt增大，可能會導勁GBT誤導通。R殖一般取幾十歐至幾百歐。主要參數Ic為集電極額定最大直流電流;U(BocES為門極短路時的集一射極擊穿電壓。
絕緣柵雙極型晶體管的關斷時間：是指該晶體管的關閉時間。
MOSFET關斷，PNP管無基極電流流過而截止。如圖(。)所示，當IGBT導通時，工作在特性曲線電流上升區域，UGE增大時，UcE值減小。的最大耗散功率;UcE(sat)為集一射極間的飽和壓降;IcE(、，為門極短路時集電極最大關斷電流;Rth為結殼間的最大熱阻;T為最高工作溫度。發展表中列出了各代IGBT器件的典型特性參數。IGBT發展非常迅速，正在向高頻、高壓、大電流以及降低器件的開關損耗和通態損耗方向發展。